Рассмотрев на предыдущей странице усилитель с общим разрядом, ничего другого не остается: усилитель с общей базой (CB) и общим коллектором (CC) — также известный как повторитель эмиссии, также известный как повторитель напряжения.
1. транзистор с общей базой (CB) кассандр.
На рис. 1 показана схема OB, приведенная на предыдущей странице. Если верхнюю секцию емкости SE снять с транслятора и подключить к базе транзистора, а входной сигнал через разделительный конденсатор CP1 подать на освободившуюся трансляцию (рис. 2), то отросток ОЭ преобразуется в классический классический. Контурная схема (КБ).
Расчет контура OB DC производится так же, как и на предыдущей странице для этапа OE, т.е. росток OE преобразуется в классический классический с помощью разделительного конденсатора CP1 [рис. 3б = (Uб — Uбэ)/[(Rэ + rэ) x (1 + b)]где UB определяется выбором номинальных значений делителей RB1 и RB2.2. IРазделите на.= (3. 10) iб; 3. iк = Iбx b? 4. Uк = Eк — Iкx rк; 5. rСифон = Rкll (rэ + rк); 6. Uэ= (0. 1. 0. 2) eк— Достижение приемлемого эффекта термостабилизации.
Однако переменный поток водопада совершенно иной. Общая базовая марка (KB), представленная на рис. 2, имеет следующие характеристики AC
7. Rвх = rэ, где rэ(OHM) = 25,6/iэ(MA) — активное эмиссионное сопротивление? 8. ki= b / (b +1); 9.u ≈ Rкx b / [rэx (b +1)]; 10.
Итак, резюмируем основные отличия этой фазы OB от фаз: 1. 2. коэффициент усиления уровня OB меньше, чем у единицы. 3. входное сопротивление фазы OB намного меньше, чем у фазы DE.
Очень низкое входное сопротивление транзистора RVX с общей базой (несколько десятков Ом) не позволяет игнорировать выходное сопротивление. Более того, если это сопротивление внешнее, то коэффициент усиления можно сделать гибким и эластичным.
2. транзистор Кассада с CommonCollector (CC) — повторная трансляция.
Главная особенность фазы OC — высокое входное и низкое выходное сопротивление. Его основное применение — согласование источников с высоким сопротивлением с нагрузками с низким сопротивлением. Исходя из этого, не совсем корректно пропускать из расчета комплексное выходное сопротивление источника сигнала. На рисунке 3 показана схема повторительного выброса. Здесь приведен тип:
Повторяющиеся выбросы не инвертируют сигнал, коэффициент усиления яруса по напряжению меньше единицы, а коэффициент усиления по току. И, традиционно, вычислитель:
Расчет уровней OB и OC в биполярных транзисторах
Коэффициент передачи мощности H21E не стабилен и имеет сложную зависимость от частоты и тока коллектора. В зависимости от типа транзистора максимальное усиление может наблюдаться при коллекторном токе в диапазоне 1-2 МА для маломощных транзисторов.
Расчет разделительной емкости CP1 и CP2 и барьерной емкости CB производится так же, как и для уровня EO. Это означает, что номинальное значение резистора отдачи должно быть установлено xc = 1/2pƒc (минимальная рабочая частота), по крайней мере, в 10 раз (или в 100 раз) меньше, чем указано ниже.CP1где RVX — входное сопротивление стадиона, рассчитанное компьютером. xCP2где RVX — следующий класс комплексного входного резистора. xCб .
И снова компьютер повторяет расчет комплексного сопротивления конденсатора.
Усилительный каскад с общим коллектором.
Схема вспомогательного класса с использованием общего коллектора показана на рис. 10.39.
На этом этапе выходное напряжение иСифонr получены из сопротивления.3включенного в цепь разряда транзистора VT. Коллектор транзистора VT подключен непосредственно к общей точке водопада, так как падение напряжения на внутреннем сопротивлении источника питания от переменного компонента незначительно. В результате входное напряжение инаC1 прикладывается между базой и коллектором через конденсатор связи, а выходное напряжение nСифонравно падению напряжения на резисторе.эот переменной составляющей тока разряда снимается между эмиссией и коллектором через конденсатор связи С2. В этом случае коллектор транзистора VT является общим для входной и выходной цепей.
Рис. 10.39: Схематическое изображение схемы помощи с общим коллектором
Состояние покоя, т.е. ина= 0, между базой и разрядом возникает начальная поляризационная тенденция,ъэопределяемая типом (10. 15).
Его значение выбирается таким образом, чтобы рабочая точка в стационарном режиме находилась примерно в середине рабочего участка линии нагрузки.
Если входное переменное напряжение pвхпеременная составляющая тока эмиттера i3возникает в резисторе R3 Падение напряжения равно выходному напряжению nСифон =
Для определения основных параметров коллекторно-заземленного усилительного каскада рассмотрим схему замещения, показанную на рис. 10.40. Для ненагруженного усилительного каскада с общим коллектором можно сформулировать следующие уравнения
— Первый закон Кирхгофа в узле E:.
— Согласно второму закону Кирхгофа для цепей, содержащих входные и выходные контуры
обозначим ток i.BXИз уравнения (10. 18) следует, что
Подставив уравнение (10. 19) в (10. 17), получим зависимость между выходным напряжением коллекторного усилительного каскада и входным напряжением.
Из полученного уравнения видно, что выходное напряжение всегда меньше входного, т. е. коэффициент усиления по напряжению K.и коллекторного усилительного каскада меньше 1.
Поскольку b22 e 22 > 1, то коэффициент Kи не сильно отличается от единицы. Действительно, в коллекторном усилительном каскаде Kи= 0. 9 — 0. 99. Схема каскада (рис. 10. 32) показывает, что выходное напряжение практически синфазно с входным. Выходное напряжение коллекторно-заземленного усилительного каскада часто называют эмиттерным повторителем, так как оно практически совпадает по величине и фазе с входным напряжением.
Формула для входного импеданса RBXЗначение эмиттерного повторителя может быть получено с помощью уравнения (10. 18).
Из значения Kи близко к 1, входное сопротивление RBXнамного больше, чем входное сопротивление h эмиттерного повторителя.u Транзистор достигает максимального значения в несколько сотен кОм.
Для таких значений входного сопротивления R,BXнеобходимо учитывать сопротивление базового делителя напряжения R.Bи RBВ схеме замещения (рис. 10.40) оно представлено эквивалентным сопротивлением RBравным R
Таким образом, результирующее входное сопротивление RBX Разрешениепередающего повторителя равно
Выходное сопротивление RBbIXЧастота повторителя передатчика определяется следующим уравнением.
Значения составляют порядка нескольких единиц или десятков Ом.
Поэтому устройства с повторным выбросом имеют высокое входное сопротивление и небольшое выходное. В результате коэффициент усиления мощности может быть очень высоким. Повторители эмиссионных приборов обычно используются для регулировки усиленных источников высокого напряжения с низкоомной нагрузкой. В типичном коллекторном усилительном каскаде температурная стабилизация обеспечивается резисторами kэвключенных в трансляционную цепь.
В заключение следует отметить, что процедура общего коллектора редко используется в промышленной электронике и поэтому не тестируется.
Схема с общим коллектором (каскад с общим коллектором)
Усилитель представляет собой четырехуровневую схему с двумя зажимами на входе и двумя зажимами на выходе. Принципиальная схема усилителя показана на рис. 2.57. Выход- « — Рис. 2. 57 Схема усилителя Поскольку транзистор, основной усилительный элемент, имеет только три вывода, один из выводов транзистора должен использоваться одновременно (в качестве выходного). Схема с общим коллектором — это усилитель, в котором коллектор транзистора используется для подключения входного сигнала и, соответственно, нагрузки. Функциональная схема усилителя с транзистором с общим коллектором показана на рис. 2.58.
Рис. 2. 58 Функциональная схема типичного коллектора На этой схеме пунктирными линиями показан усилитель, изображенный на рис. 2. 57. На ней не показана цепь питания транзистора. Поскольку источник питания имеет нулевое сопротивление переменному току, кабельное соединение транзистора с источником питания (стабилизатором напряжения) эквивалентно соединению с общим кабелем. Основное преимущество усилителя с общим коллектором заключается в том, что коллекторная схема обычно используется на более низких частотах из-за высокого входного сопротивления. Так выбирают транзисторные схемы питания. Для питания транзисторов в схеме с общим коллектором обычно используются схемы стабилизированного тока: схемы стабилизированного коллектора и схемы стабилизированного разряда. Расчет резисторов в этих геометриях не зависит от схемы транзистора и выполняется для схем с общим коллектором так же, как и для схем с общим разрядом. Схемы с общим коллектором часто называют схемами с повторным излучением, поскольку они не инвертируют сигнал и не усиливают напряжение. На рис. 2. 58 показана принципиальная схема биполярного ПРП-транзистора с использованием схемы с общим коллектором. Рис. 2. 58. В этой схеме резистор R2 одновременно является резистором нагрузки и стабилизирующим элементом коллектора. Тот факт, что резистор подключен к трансляционной станции транзистора, является важным стабилизирующим элементом коллектора.э.
Это намного больше, чем внутреннее сопротивление эмиттера g-транзистора.3(2. 16) В схеме, показанной на рис. 2. 58, поскольку резистор R,вхиспользуется резистор R2, а в схеме, показанной на рис. 2. 59, — резистор R3. Если его номинал равен 1 кОм, а Lg — 100, то входное сопротивление транзистора равно 100 кОм. При использовании таких резисторов входной ток также протекает через цепь смещения, поэтому при расчете транзисторного каскада необходимо учитывать влияние сопротивления цепи смещения. Путь входного тока для схемы с коллекторным заземлением показан на рис. 2. 60. Рисунок 2. 60: Ток, протекающий через входную цепь эмиттерного повторителя Как показано на этой схеме, входной ток протекает через базу транзистора и резистор R2, а также через резистор R1 и источник питания обратно к источнику сигнала. В результате входное сопротивление эмиттерного повторителя определяется как параллельная сумма входного сопротивления транзистора и резистора R1: (2. 17) Например, если усилитель питается от источника напряжения 5 В, ток коллектора составляет 1 мА, а на выходе достигается максимальный динамический диапазон, то напряжение на эмиттере В. В этом случае резистор R2 = 2,5 В. В этом случае резистор R2 = 2,5 кОм, ток базы транзистора /б = 1 мА/100 = 10 мкА. Резистор Rl = (5 В — 2,5 В — 0,7 В)/10 мкА = 180 кОм. Каково входное сопротивление для 7-го каскада?э-Л2 гг| Администрация сельсовета Красная горка Володарского района Нижегородской области| Администрация сельсовета Красная горка Володарского района Нижегородской области 180 кОм = 64 кОм. Внутренняя обратная связь не только увеличивает входное сопротивление, но и уменьшает выходное. Его можно считать примерно равным эмиттерному сопротивлению транзистора: ZftwiK (2. 18) Более точно, выходное сопротивление цепи коллектор-земля можно определить как параллельное соединение эмиттерного сопротивления транзистора и сопротивления R2: g